به گزارش خبرنگار گروه علم و پیشرفت خبرگزاری فارس به نقل از سی‌جی‌تی‌ان، سامسونگ تولید انبوه تراشه ۳ نانومتری خود را از ۳۰ ژوئن (۹ تیر) آغاز کرده بود و حالا این شرکت اعلام کرده که از روز گذشته (۲۵ جولای) اولین محموله تولیدی تراشه ۳ نانومتری جهان را به عنوان پیشرفته‌ترین نیمه‌هادی جهان به بازار عرضه کرده است.
این شرکت کره جنوبی گفته است، فرآیند ۳ نانومتری نسل اول در مقایسه با تراشه‌های ۵ نانومتری فعلی که از فناوری ترانزیستور (FinFET) استفاده می‌کنند، مصرف انرژی را تا ۴۵ درصد کاهش داده و عملکرد را تا ۲۳ درصد با استفاده از فرآیند گیت همه‌جانبه (GAA) بهبود بخشیده است.
به گفته سامسونگ، مهندسان آن در اوایل دهه ۲۰۰۰ شروع به تحقیق بر روی ترانزیستورهای GAA کردند و از سال ۲۰۱۷ به آزمایش طراحی آن پرداختند. ماه گذشته، این شرکت اولین سازنده تراشه بود که تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را آغاز کرد.
سامسونگ در نظر دارد تولید نسل دوم تراشه‌های ۳ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۳ و تراشه‌های ۲ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۵ آغاز کند.
انتهای پیام/
